第四届GMIF2025革命峰会在深圳万丽湾货仓落下帷幕。这场以“AI运用，革命赋能”为主题的行业嘉会，眩惑了大众存储产业链高下流的领军企业、本事各人与行业首级皆聚一堂，共同探讨东谈主工智能本事驱动下存储本事的演进标的与产业机遇。峰会期间，三星电子副总裁、Memory奇迹部首席本事官Kevin Yoon发表了题为《智构AI改日：开启内存与存储新纪元》的主题演讲，深远瓦解了AI时期存储本事面对的挑战与冲破旅途，并发布了多项前沿本事后果。

Kevin Yoon在演讲中指出，AI本事正阅历从生成式AI向智能体AI（Agentic AI）的逾越，并最终将迈向物理AI（Physical AI）。面前，行业已贯注参预智能体AI阶段，这种具备自主推理与决策能力的本事，条件系统在保管多种景色的同期，梗概无延伸地调用用具，从而鼓励大众数据量与探求需求呈现爆发式增长。他强调，智能体AI的推理经过需要数据万古刻留存以获得最优结果，这径直导致内存容量需求激增。数据中心正从传统探求模式向数据密集型探求转型，存储本事已从后台相沿步伐转移为决定AI系统效用与可膨胀性的中枢身分。

面对传统存储架构在带宽需求、功耗适度与延伸管制等方面的多重挑战，Kevin Yoon公布了三星在内存本事规模的双线冲破。针对AI做事器对高带宽的遑急需求，三星已放胆行业首款24Gb容量GDDR7内存的量产，并与最初GPU企业张开深度配合。该家具接受顶端制程工艺与优化电路设想，传输速度达42.5Gbps，能效提高超30%，为AI查验与图形渲染提供了关节相沿。同期，为处分DRAM容量放胆问题，三星自2021年大众首推探求快速链路（CXL）内存膨胀器以来，捏续引颈本事生态发展。当今，其DDR基CXL 2.0家具已放胆范围化量产，并经营于来岁推出兼容CXL 3.1与PCIe Gen 6.0的CMM-D处分决议，支捏多做事器及时内存分享，进一步提高数据中心的活泼性与膨胀性。

在存储规模，三星围绕性能、密度与散热三大中枢维度张开了系统性革命。针对PCIe接口代际升级的本事挑战，三星通过优化NAND与适度器协同设想，将于2026年头推出PCIe Gen6 SSD家具PM1763。该家具在25W功耗放胆下放胆性能翻倍，能效比提高1.6倍，竣工适配GPU密集型AI探求场景。在高密度存储方面，三星展现了行业最初的本事实力：2025年已推出128TB U.2接口SSD家具，2026至2027年更经营推出1T厚度的EDSFF情势家具，放胆Gen5平台256TB、Gen6平台512TB的冲破。这一系列后果收获于三星先进的32层堆叠封装本事与EDSFF情势的卤莽设想上风，可在有限空间内放胆有储密度与能效的双重优化。

针对高性能存储带来的散热挑战，Kevin Yoon暗示三星正从传统风冷向液冷等径直冷却本事转型。通过将E1.S 8TB SSD厚度从15T缩减至9.5T等情势优化，辩论冷板与外壳间热阻最小化设想，确保下一代存储家具在满负荷初始时的系统厚实性。为称心AI推理场景中对少许据块快速走访的需求，三星忽视了“内存级存储（Memory Class Storage）”这一全新本事品类。该本事以GPU主动径直存储（GIDS）为典型运用，通过GPU与存储的径直数据交互，大幅裁减系统延伸。三星正在研发的第七代Z-NAND本事是这一见识的中枢载体，其第三代家具将放胆远超行业程序的微辞量发扬，在保捏超高性能的同期最大化能效。

峰会期间，主持方对存储规模曩昔一年知道的了得企业、革命本事与优秀决议进行了评优，并发布了评比结果。手脚行业领军者，三星半导体凭借在DRAM与NAND规模的要紧本事迭代，荣获“了得存储本事引颈奖”。评委会异常指出，面对AI爆发对高带宽、高能效存储的遑急需求，三星率先放胆HBM、DDR5、LPDDR5X及高层堆叠3D NAND等前沿本事的范围化量产与运用，为大模子查验、数据中心基础步伐升级及高端智能结尾革命提供了坚实的本事底座。

Kevin Yoon在演讲放胆暗示，三星通过内存与存储规模的全栈革命，不仅长途于处分AI时期的数据管制清苦，更旨在开释AI本事的一起潜能。改日，三星将捏续冲破本事极限，与大众配结伴伴共建存储生态赌钱赚钱app，共同开启AI赋能的智能改日。